 產(chǎn)品分類 |
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| 公司名稱： |
新銳晶科技（深圳）有限公司 |
公司類型： |
企業(yè)單位 () |
| 所在地區(qū)： |
廣東/深圳市 |
公司規(guī)模： |
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| 注冊資本： |
未填寫 |
注冊年份： |
2017 |
| 資料認(rèn)證： |
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| 保 證 金： |
已繳納 ￥0.00 元 |
| 經(jīng)營范圍： |
Full SiC Module,Hybrid SiC Module,國產(chǎn)SiC MOSFET，碳化硅SiC MOSFET分立器件，碳化硅SiC MOSFET模塊，混合SiC-IGBT單管，三電平IGBT模塊，I型NPC1三電平IGBT模塊，T型NPC2三電平IGBT模塊,IGBT模塊，英飛凌SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，安森美SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，ST碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代，CREE wolfspeed SiC碳化硅國產(chǎn)替代 |
| 銷售產(chǎn)品： |
英飛凌IGBT國產(chǎn)替代，英飛凌碳化硅模塊國產(chǎn)替代，三菱IPM國產(chǎn)替代，賽米控IGBT國產(chǎn)替代,安森美IGBT國產(chǎn)替代，Vincotech三電平IGBT模塊國產(chǎn)替代，F(xiàn)UJI富士IGBT-IPM國產(chǎn)替代,FUJI富士X系列IGBT模塊國產(chǎn)替代，熱泵驅(qū)動SiC MOSFET，Hybrid SiC Module，混合IGBT模塊，混合碳化硅功率模塊,Full SiC Module，62mm Hybrid SiC Module，混合型SiC模塊，混合SiC模塊，功率半導(dǎo)體，IGBT 混合型SiC模塊，EconoD |
| 采購產(chǎn)品： |
儲能變流器碳化硅MOSFET,光伏逆變器IGBT,SiC MOSFET，分立IGBT,混合IGBT模塊,混合三電平SiC-IGBT模塊,光伏逆變器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，IGBT單管，混合IGBT單管，國產(chǎn)SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,國產(chǎn)SiC MOSFET模塊，SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，分立碳化硅MOSFET，國產(chǎn)TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（ |
| 主營行業(yè)： |
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